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制造商:ABB
型号:3BHE014105R0001
传统的非穿通型概念是在厚的N基区上直接扩散形成阳极。非穿通PN结在阻断情况下电场分布呈三角形，如图2中的曲线1所示.由图2可以看出，器件总的阻断电压为电场在沿硅片厚度方向上的积分。因此，在材料所承受电场强度最大值不变的情况下，所需阻断电压越高，其硅片就越厚。这样会导致器件的导通损耗和开关损耗也相应增大。
GTC采用了缓冲层技术，而缓冲层的高电导率与传统GTO常用的阳极短路技术不相容，因此必须采用新的替代技术。为了实现低通态压降，要求处于导通状态的器件保持为晶闸管工作方式采用。IGCT采用了很薄的阳极发射区，关断期间阳极电压一-旦建立，电子便能通过发射极排出。部分金属电极界面处复合，而不注入空穴，此时无需采用阳极短路就可限制PNP晶体管的发射效率和增益，从而大大提高了门极触发灵敏度，缩短了关断时间。
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