描述
3BHE023784R0001 ABB 可控硅主板DCS多功能模块
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低压IGBT和高压IGBT在高电压变频器中都采用。IGBT具有快速的开关性能,但在高压变频中其导电损耗大,而且需要许多IGBT复杂地串联在一起。 对低压IGBT来讲,高压IGBT串联的数量相对要少一些,但导电损耗却更高。元件总体数量增加使变频器可靠性降低、柜体尺寸增大、成本提高。因此高压、 大电流变频调速器在IGBT和GTO成熟技术的基础上,有了简洁的方案-IGC。这个优化的技术包含了对GTO的重新设计,使其具有重要的设计突破。新的 IGCT引进了快速、均衡换流和内在的低损耗,主要的设计性能含有可靠的阳极设计来达到快速泄流、低损耗薄型硅晶片使切换快速以及使用大功率半导体的集成 型门驱动器。
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