描述
一个理想的功率器件,应当具有下列理想的静态和动态特性:在截止状态时,能承受较高的电压;在导通状态时,能承受大电流并具有很低的压降;在开关转换时,开/关速度快,能承受很高的di/dt和dv/dt,同时还应具有全控功能。
自从50年代硅晶闸管问世以后,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做出了不懈的努力。60年代后期,可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功 能,并使斩波工作频率扩展到1kHz以上。70年代中期,高功率晶体管和功率MOSFET问世,功率器件实现了场控功能,打开了高频应用的大门。80年 代,绝缘栅门控双极型晶体管(IGBT)问世,它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。它的迅速发展,又激励了人们对综合功率 MOSFET和晶闸管两者功能的新型功率器件-MOSFET门控晶闸管的研究。因此,当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的性能改进、 MOS门控晶闸管以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。
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