GDC801B101 ABB IGCT模块

GDC801B101 ABB IGCT模块

GDC801B101 3BHE051592R0101/PCB

REV:B IGCT模块产品说明

由于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有驱动功率小而且驱动电路

简单、开关速度快并且损耗小、饱和压降低、耐压高、电流大等优

点,在柔性直流电网中得到了广泛的应用,现有的MMC换流阀装

备均是采用IGBT开关器件进行设计。事实上,IGBT于二十世纪八

十年代初诞生,在九十年代得到飞速发展。然而传统的焊接式IGB

T容量较小、可靠性较低且失效后呈断路特性,因此早期的IGBT主

要应用于中低压领域,直至压接式IGBT诞生之后才开始在高压、

大功率电力电子换流器当中得到应用。IGBT器件的容量从最早的6

00V/6A级别逐渐提升,迄今为止已经达到了4.5kV/3kA的水平。I

GCT诞生于1996年,由于其核心GCT芯片是由晶闸管改进而来,

因此天然具备晶闸管大容量、高可靠性的特点。IGCT器件在2000

年便已经达到了4.5kV/4kA的水平,相比之下压接式IGBT直至201

2年才达到相同的功率等级,随着六英寸IGCT器件在未来投入使

用,IGCT在容量上仍将对IGBT保持较大优势。

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描述

GDC801B101 ABB IGCT模块

GDC801B101 3BHE051592R0101/PCB

REV:B IGCT模块产品说明

由于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有驱动功率小而且驱动电路

简单、开关速度快并且损耗小、饱和压降低、耐压高、电流大等优

点,在柔性直流电网中得到了广泛的应用,现有的MMC换流阀装

备均是采用IGBT开关器件进行设计。事实上,IGBT于二十世纪八

十年代初诞生,在九十年代得到飞速发展。然而传统的焊接式IGB

T容量较小、可靠性较低且失效后呈断路特性,因此早期的IGBT主

要应用于中低压领域,直至压接式IGBT诞生之后才开始在高压、

大功率电力电子换流器当中得到应用。IGBT器件的容量从最早的6

00V/6A级别逐渐提升,迄今为止已经达到了4.5kV/3kA的水平。I

GCT诞生于1996年,由于其核心GCT芯片是由晶闸管改进而来,

因此天然具备晶闸管大容量、高可靠性的特点。IGCT器件在2000

年便已经达到了4.5kV/4kA的水平,相比之下压接式IGBT直至201

2年才达到相同的功率等级,随着六英寸IGCT器件在未来投入使

用,IGCT在容量上仍将对IGBT保持较大优势。

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