3BHB003387R0101 ABB半导体器件

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5SHX06F6004 3BHB003387R0101 MCT(MOS Control led Thyristor):MOS控制晶闸管MCT是一种新型的MOS和双极型复合器件。如上图所示。MCT是将MOSFET的高阻

抗、低驱动图MCT功率大、开关速度快的特性与晶闸管的高电压、大电流特殊组合在-起,构成一个大功率、高电压、快速的全控器件。MCT本质上是一个MOS[]控晶闸

管。它可以通过在栅极极上加一个窄脉冲来开启或关闭,它是由无数个并联的单体电池组成的。与GTR、MOSFET、IGBT、GTO等器件相比,具有以下优点:(1)耐压

高、载流能力大,阻断电压达到3000V,峰值电流达到1000A,最大关断电流密度为6000kA/m2;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101通态压降小,损耗小,通态压降11V左右;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101非常高的dv/dt和di/dt容限,dv/dt已达到2kV/s,di/dt为2kA/s;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101开关速度快,开关损耗小,开启时间约200ns,1000V器件可在2s内关断;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101 IGCT(集成[]极换向晶闸管)IGCT是在换向晶闸管技术的基础上,结合IGBT和GT0技术发展起来的新型器件。适用于高压、大容量的

换流换流系统。它是-种用于巨型电力电子组件的新型功率半导体器件。

山西润盛进出口有限公司

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应用范围

应用于数控机械 冶金、煤矿厂、食品厂、石油天然气、石油化工、化工、造纸印刷、纺织印染、机械、电子制造、汽车制造、烟草、塑胶机械、电力、水利、水处理 /环保、市政工程、锅炉供暖、能源、输配电、等等.