5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB 可控硅晶体模块

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB可控硅晶体模块2022新款

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量

和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的

飞跃。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181IGCT是将GTO芯片与反并联_极管和栅极驱动电路集成在

-起,再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管

的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸

管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性

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描述

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB可控硅晶体模块2022新款
5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量
和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的
飞跃。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181IGCT是将GTO芯片与反并联_极管和栅极驱动电路集成在
-起,再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管
的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸
管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、电压
高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点,而且造成
本低,成品率高,有很好的应用前景。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181采用晶闸管技术的GTO是常
用的大功率开关器件,它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电
压上有更高的性能,但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的
开通和关断过程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率
的栅极驱动单元,因而造成可靠性下降,价格较高,也不利于串
联。但是,在大功率MCT技术尚未成熟以前,IGCT已经成为高压
大功率低频交流器的优选方案。

 

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