5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101 ABB直流调速中压板

5SHY3545L0010/3BHB013088R0001 ABB直流调速中压板

IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门]极驱动电路集成在一起,

再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定

关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，

在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGC

T具有电流大、5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、

低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前

己用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率I业驱动装置

(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到0

9年为止),5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的

功率元件数目更少,

运行的可靠性大大增高。5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101IGCT集IGBT(绝缘[]极双极性晶体管)

的高速开关特性和GTO(门极关断品闸管)的高阻断电压和低导通

损耗特性于-体，-般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。

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描述

5SHY3545L0010/3BHB013088R0001 ABB直流调速中压板

IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门]极驱动电路集成在一起,

再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定

关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，

在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGC

T具有电流大、5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、

低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前

己用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率I业驱动装置

(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到0

9年为止),5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的

功率元件数目更少,

运行的可靠性大大增高。5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101IGCT集IGBT(绝缘[]极双极性晶体管)

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损耗特性于-体，-般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。

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