5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABB可控硅IGCT模块

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5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABB由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:

一IGBT栅极与发射极之间的电压;

一-IGBT集电极与发射极之间的电压;

流过IGBT集电极-发射极的电流;

一-IGBT的结温。

5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABB如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABB如果过高超过栅

极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过

集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电

流,5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABBIGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。

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描述

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5SHX2645L0002 5SHY3545L0009 ABB由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:

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极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过

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