5SGY3545L0020 ABB IGBT模块 _ 山西润盛进出口有限公司

5SGY3545L0020 ABB IGBT模块

5SGY3545L0020 ABB IGBT模块

5SGY3545L0020 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压
驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
1979年, MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。5SGY3545L0020这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成) ,其特点是通过强
碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到5SGY3545L0020 IGBT中来。[2]在那个时候,硅芯片的结构是一
种较厚的NPT(非穿通)型设计。后来,通过采用PT(穿通)型结构的方法得到了在参数折衷方面的-一个显著改进,这是随着硅片上外延的技术进步,以
及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。5SGY3545L0020几年当中,这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构,其设计规则从5微米
先进到3微米。
90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的5SGY3545L0020 IGBT ,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通
(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变
类似的改善。