5SHX2645L0002 3BHB012961R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE01 ABB 可控硅

5SHX2645L0006这种关断装置的串联方式在首次运行和运行成本方面也具有最大优势。串联晶闸管是一种成熟的HVDC技术，这种配置已成功应用了数十年。IGCT的存储时间极短，仅为1µs，因此其固有的概念允许半导体的稳健串联，这是新型大功率逆变器的关键技术。这是有道理的，因为它能从多个方面保护设备：如果IGCT或反并联二极管发生故障，设备将继续运行，不会中断。这是因为，IGCT作为一种压力封装装置，其设计是为了防止短路故障。故障由电子电路检测，并通过光纤发出信号。

5SHX2645L0006 3BHB012961R0002采用冗余IGCT可以降低变流器相位发生击穿的风险，因此可以建造无熔丝大功率变流器，提高变流器的可靠性和效率。基于第一代IGCT的关断装置的串联已于1994年成功通过测试。在电力测试实验室中，我们测试了由4个串联IGCT（共16个设备）组成的具有两个转换器相位的完整H型支路。对IGCT的串联进行了全面、系统的测试，包括加速寿命测试，以及通过综合计算和模拟进行验证。由于IGCT的存储时间非常短（1us），因此不同设备的关断时间公差很小（小于0.2us），串联设备的电压分担效果非常好。为了降低IGCT上的动态过电压，大功率相模块的电感非常低。由于IGCT的运行非常均匀，关断装置的尖峰电压不再是一个尺寸因素。在这次测试中，尖峰电压达到了1500V。

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5SHX2645L0006 3BHB012961R0002可控IGCT逆变器

5SHX2645L0006 IGCT inverter module was developed.For the applica-tions in the high power field a low-inductive,cost effec-tive,water-cooled inverter module with an increasednumber of 6 series connected IGCTs was developed.Each 4.5kV IGCT can be loaded with a maximum sta-tionary DC voltage of 3kVDC.The design of the highpower inverter module is normally selected to be a Ns=5+1 design.The realisation of a redundant design leadsto a considerable increase of the availability of theinverter.The redundant design is a must in ultra highpower application to reach the needed reliability.In figure7 the High Power IGCT Inverter Module as used in the100 MVA intertie can be seen.The Inverter Module inte-grates a single phase leg.The IGCT inverter module,based on 1stgeneration IGCT,is eqippped with reduceddv/dt-snubbers of a simple RCD-type.The supply of thegate drivers is done over special separation transformers