ABB S-073M 散热器
设备可以直接安装在两个散热器之间,因此可以同时从两侧进行有效冷却。同时从两侧进行有效冷却。此外,不需要厚厚的导热化合物层,因此冷却系统的热阻非常低。此外,不需要厚厚的导热层,因此冷却系统的热阻非常低。这直接转化为这直接转化为组件的高功率密度,并减少了给定额定功率的变流器所需的空间。与使用隔离功率元件的组件相比,特定额定功率的变流器所需的空间更小。与使用隔离功率元件的组件相比,可减少给定额定值变流器所需的空间。高负载循环能力的压装设计IGCT的密封压装设计已经证明了其非凡的负载循环能力和可靠性。多年的现场应用证明了其非凡的负载循环能力和可靠性。的可靠性。仅由几层精心设计的材料组成设计良好的材料,因此不会出现其他封装中明显的焊料空隙或粘接脱落问题。其他封装技术中明显存在的焊接空洞或粘结脱落问题。适当的涂层和所用材料本身可确保在间歇性负载下工作时,由于温度偏差造成的器件机械磨损保持在合理的范围内。这使得IGCT
非常适合在恶劣条件下的应用,如钢厂、矿井提升机、船舶驱动等恶劣条件下的应用。在要求高功率处理能力、低损耗和高可靠性的应用中在需要高功率处理能力、低损耗和高可靠性的应用中,IGCT成为首选器件。典型应用包括电机驱动、互感器、断路器和可再生能源、断路器和可再生能源。原因在于原因在于晶闸管结构提供了极低的导通损耗晶闸管结构提供了极低的导通损耗,半导体中可忽略不计的导通损耗以及高可靠性。半导体损耗和高可靠性。器件的高可靠性。在上述应用中经过验证的现场在上述应用中的经验表明,IGCT是最新电路拓扑(如模块化电路)的理想开关。模块化多电平转换器(MMC多电平转换器(MMC)的理想开关。
高功率处理能力
高压直流电源系统(HVDC)。
转换器额定功率大于5 MVA的大功率半导体效率分析除了高器件可靠性外,低器件损耗器件损耗是IGCT的主要优势。
S-073N 3BHB009884R0021 变频ABB高压框架IGCT相位模块
5SHX2645L0002/3HB012961R0001
5SHX0660F0001
5SHX06F6004
5SHX1060H0003
5SHX10H6004
5SHX1445H0002 3BHL000387P0101
5SHX14H4502
5SHX1960L0004
5SHX1960L0006 3BHB016120R0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101
5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101
5SHY3545L0003
5SHY3545L0005
5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101
5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101
5SHY3545L0014 3BHE023784
5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 GVC736BE101 5SXE06-0160
5SHY35L4503 3BHB004693R0001 3BHB004692R0002 5SXE01-0127